Samsung объявила о начале массового производства микросхем оперативной памяти стандарта LPDDR5 ёмкостью 12 Гбит (1,5 ГБ), предназначенных для смартфонов и других мобильных устройств. Чипы изготавливаются по технологическим нормам 10-нм класса и обеспечивают скорость передачи данных на уровне 5500 Мбит/с.

По сравнению с микросхемами предыдущего поколения LPDDR4X, новая память предлагает в 1,3 раза лучшую пропускную способность (5500 Мбит/с против 4266 Мбит/с для одного чипа) и может быть использована для выпуска смартфонов и другой мобильной техники с объёмом ОЗУ 6 или 12 Гбайт, сообщает overclockers.ua.

Например, в случае одной BGA-микросхемы LPDDR5 объёмом 12 Гбайт скорость передачи данных составит 44 Гбайт/с. Кроме того, улучшена энергоэффективность за счет снижения напряжение питания до 1,05 В и оптимизаций в интегральной схеме.

Исполнительный вице-президент подразделения DRAM Product & Technology Юнг-бэ Ли (Jung-bae Lee) заявил, что выпуск нового типа памяти позволит Samsung Electronics и партнёрам компании быстрее внедрить потенциал сетей 5G и функций искусственного интеллекта в будущие смартфоны. Что характерно, массовое производство 12-гигабитных микросхемы LPDDR5 началось всего спустя пять месяцев после объявления о выпуске чипов LPDDR4X такой же ёмкости.

Samsung планирует в следующем году также разработать микросхемы LPDDR5 ёмкостью 16 Гбит с целью укрепления своих конкурентных преимуществ на мировом рынке памяти.