По данным осведомлённых источников, компания Intel уже готова приступить к массовому производству памяти MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory).

Память MRAM является энергонезависимой. Она способна сохранять данные даже в случае неожиданного прекращения энергоснабжения системы. Таким образом, она больше похожа на устройство хранения данных, чем на оперативную память. Но на самом деле память MRAM можно рассматривать в качестве долгожданного кандидата на универсальную память, которая позволит заменить и быструю энергозависимую память DRAM, и более медленную энергонезависимую память NAND. Отметим, масштабирование узлов с этими типами памяти становится всё сложнее. В то же время MRAM обещает улучшенную масштабируемость, время отклика на уровне 1 нс (лучше теоретических возможностей DRAM) и высокую скорость записи, которая в тысячи раз превосходит возможности NAND, сообщает itc.ua.

При этом память MRAM нынешнего поколения обладает хорошими показателями надёжности. Она способна хранить данные на протяжении 10 лет при температуре 200 градусов Цельсия и выдерживать более 1 млн циклов переключения. Кроме того, при использовании 22-нанометрового технологического процесса обеспечивается норма выхода годных чипов MRAM более 99,9%, что является отличным результатом для новой и достаточно секретной технологии. Однако предполагается, что массовое производство может осуществляться и по 14-нм техпроцессу, а упомянутые 22-нм нормы можно назвать «смягчёнными» 14-нанометровыми, считают эксперты.