Новая память создана по 55-нанометровому технологическому процессу и выдерживает до 100 тысяч циклов чтения/записи. Представленные образцы могут хранить до 8 гигабит данных.

Напомним, у обычной NAND-памяти скорость чтения ограничена 40 мегабайтами в секунду, а скорость записи составляет менее 20 мегабайт в секунду.

Ожидается, что производители начнут массовое производство высокоскоростной памяти во второй половине 2008 года.