Samsung Electronics продолжает улучшать скоростные показатели оперативной памяти типа HBM (High Bandwidth Memory). В ходе GPU Technology Conference 2019 южнокорейский гигант представил первые микросхемы стандарта HBM2E, обладающие на треть большей пропускной способностью, нежели доступные на рынке чипы HBM2, сообщает overclockers.ua.

Многослойная память HBM2E, которой Samsung дала имя Flashbolt, найдёт применение в самых разных областях, включая искусственный интеллект, HPC-вычисления, а также графические ускорители high-end уровня. Представленные микросхемы имеют объём 16 Гбайт, набраны восемью 16-гигабитными слоями и обладают пропускной способностью в 410 Гбайт/с (3,2 Гбит/с на контакт).

Соответственно, при использовании четырёх таких микросхем возможный преемник видеокарты AMD Radeon VII будет распологать 64-гигабайтным видеобуфером с впечатляющей пропускной способностью в 1640 Гбайт/с. Впрочем, учитывая дороговизну многослойной памяти HBM2, новые чипы Samsung HBM2E первое время будут применяться только в ускорителях машинного обучения и ресурсоёмких вычислениях.