Samsung оштрафовали на $400 млн за нарушение патента
Окружной суд Техаса наложил штраф в размере $400 млн на южнокорейскую компанию Samsung за нарушение патента, принадлежащего бюро Корейского института передовых технологий (KAIST IP US).
Как пишет агентство Bloomberg, группа компаний нарушила соглашение между KAIST и производителем компьютерных компонентов Intel на производство транзистора по технологии FinFet, позволяющей увеличить производительность микрочипа и одновременно уменьшить его энергопотребление.
При этом представители Samsung с сожалением отреагировали на иск и заявили, что компания разрабатывала технологию вместе с Корейским институтом, и таким образом это нельзя считать нарушением прав. Ответчик собирается обжаловать решение окружного суда Техаса.
Еще один штраф за нарушение патента компании был присужден в конце мая калифорнийским судом. Южнокорейского производителя высокотехнологичных компонентов обязали выплатить американской компании Apple почти $539 млн за использование промышленного образца и изобретения.





Мир «Тегеран погоджується заморозити ядерні роботи в обмін на розблокування протоки та зняття блокади»
Происшествия «Спротив триває: 1572-га доба протистояння України збройній агресії Росії»
Мир «Польша предупредила Украину о строгом соблюдении критериев членства в ЕС»
Мир «США та Іран оголосили про досягнення мирної угоди»
Происшествия «Макрон назвал удар по Киево-Печерской лавре атакой на мировое наследие»
Происшествия «Дрони РФ вдарили по Харкову: пошкоджено зоопарк, є загиблі серед тварин»