Инновационное запоминающее устройство обещает производительность около 25 терабит на квадратный сантиметр

Более быстрые, компактные, "умные" и более энергоэффективные микросхемы для всего, от бытовой электроники до больших данных и интеллектуальных вычислений, вскоре могут появиться в продаже после того, как инженеры Техасского университета в Остине создали самое маленькое устройство памяти. И в процессе они выяснили физическую динамику, которая открывает возможности плотного хранения памяти для этих крошечных устройств.

Исследование, опубликованное недавно в Nature Nanotechnology, основано на открытии двухлетней давности, когда исследователи создали то, что на тот момент было самым тонким запоминающим устройством. В этой новой работе исследователи еще больше уменьшили размер, уменьшив площадь поперечного сечения до одного квадратного нанометра.

Освоение физики этих устройств позволило сделать их намного меньше. Дефекты или дыры в материале являются ключом к разблокированию возможности хранения в памяти высокой плотности. Хотя ученые использовали дисульфид молибдена, также известный как MoS2, в качестве основного наноматериала в своем исследовании, исследователи считают, что это открытие можно применить к сотням связанных атомарно тонких материалов.

Устройство относится к категории мемристоров, популярной области исследований памяти, сосредоточенной на электрических компонентах с возможностью изменять сопротивление между двумя его выводами без необходимости в третьем выводе в середине, известном как затвор. Это означает, что они могут быть меньше, чем сегодняшние устройства памяти, и иметь большую емкость.

Эта версия мемристора, разработанная с использованием новейшего оборудования в Окриджской национальной лаборатории, обещает производительность около 25 терабит на квадратный сантиметр. Это в 100 раз более высокая плотность памяти на слой по сравнению с имеющимися в продаже устройствами флэш-памяти.